進入4月，兆馳半導體、聚燦光電、麥沄顯示、壘沃科技等企業持續公示Micro LED相關專利進展，涉及外延片制作、芯片結構、封裝等領域，推進提升Micro LED光效、功率等，及商業化進程。
■ 兆馳半導體：一種垂直結構MicroLED芯片及其制備方法
此前，行傢說Display報道瞭兆馳半導體Micro LED新專利（點這裡.），近日，兆馳半導體又公佈瞭“一種垂直結構MicroLED芯片及其制備方法”的發明專利進入審中公佈階段。
本發明公開的垂直結構Micro LED芯片包括第一Micro LED芯片和第二Micro LED芯片，第一Micro LED芯片包括第一襯底、第一外延層、第一電極，所述第一外延層上設置有第一鍵合層，且露出所述第一電極；第一電極包括第一N型電極和第一P型電極；第二Micro LED芯片包括第二外延層、第二電極，所述第二外延層上設置有第二鍵合層，且露出所述第二電極；第二電極包括第二N型電極；第一Micro LED芯片和第二Micro LED芯片通過第一鍵合層和第二鍵合層鍵合在一起，且第一N型電極和第二N型電極對位設置。
實施本發明，有效提高瞭單位面積Micro LED芯片的光輸出功率，也減少瞭因相鄰芯片波長差異導致的圖像失真現象。
■ 聚燦光電：一種紅光MicroLED高光效外延結構
4月8日，聚燦光電科技(宿遷)有限公司“一種量子點MicroMIP器件制備方法”相關專利進入審中公佈階段。
本發明公開瞭一種紅光Micro LED高光效外延結構，通過在P型AlInP限制層和P型GaP電流擴展層之間引入高能帶橫向擴展層，優化電流分佈、減少電子溢流以及增強側壁性能，有效提高瞭量子效率和光提取效率，同時增強瞭器件的高溫穩定性和長期可靠性。該橫向擴展層為創新性的超晶格結構，由高摻雜GaP層、低摻雜GaP層和AlxGa1xP層交替組成。
本發明適用於小尺寸、高分辨率顯示屏、車載高溫顯示器以及低功耗增強現實眼鏡等場景，具有廣泛的應用前景和工業價值。
■ 麥沄顯示：一種基於DNA堿基互補配對的MicroLED自組裝方法
4月11日，昆山麥沄顯示技術有限公司“一種基於DNA堿基互補配對的MicroLED自組裝方法”進入審中公佈階段。
本申請公開瞭一種基於DNA堿基互補配對的Micro LED自組裝方法，包括如下步驟：S 1：在Micro LED芯片出光面利用化學反應引入DNA單鏈分子堿基對；S2：對於目標基板特定位置表面進行處理，使其通過化學反應引入與Micro LED芯片表面互補配對的DNA單鏈分子堿基對；S3：將Micro LED芯片和基板浸入含有保護DNA鏈活性成分的流體中；S4：通過作用力將Micro LED芯片均勻分佈到基板各個位置，利用對應Micro LED芯片表面DNA單鏈分子與基板表面之間DNA單鏈分子的堿基互補配對作用，實現Micro LED芯片的自動排列和組裝；S5：用流體帶走基板表面多餘的Micro LED芯片並清潔，然後進行後續平坦化以及重佈線處理。
本申請實現簡單高效的自組裝過程，完成Micro LED芯片的高精度轉移和低成本生產，具有廣泛的市場應用前景。
■ 壘沃科技：紅光MicroLED的外延結構、芯片結構的制備方法及芯片結構
4月11日，壘沃科技(紹興)有限公司“紅光MicroLED的外延結構、芯片結構的制備方法及芯片結構”專利進入審中公佈階段。
本申請涉及半導體技術領域。包括依次層疊設置的襯底、N型刻蝕截止層、N型接觸層、N型附著層、N型粗化層、N型保護層、N型電流擴展層、發光區、P層電流擴展層、P型保護層、P型過渡層、P型接觸層，所述發光區與N型電流擴展層之間，以及所述發光區與P層電流擴展層之間兩者中至少其一設置有插入限制層，所述插入限制層用於在形成芯片的過程中，在兩端形成絕緣部。
本申請可以限制電流的橫向擴展，使更多的載流子註入到有源區中，大大提高電流註入率，所以即使註入電流很小也可以得到局部較高的電流密度，從而提高發光效率。
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